español
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
Acerca de nosotros | Contáctenos | Solicitar presupuesto |
Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXFA12N50P
IXFA12N50P
IXFA12N50P
Número de pieza:
IXFA12N50P
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19375 Pieces
Ficha de datos:
IXFA12N50P.pdf
Investigación

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IXFA12N50P, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IXFA12N50P por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar IXFA12N50P con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5.5V @ 1mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-263 (IXFA)
Serie:HiPerFET™, PolarP2™
RDS (Max) @Id, Vgs:500 mOhm @ 6A, 10V
La disipación de energía (máximo):200W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXFA12N50P
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1830pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:29nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 500V 12A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXFA)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:500V
Descripción:MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios

partes relacionadas de IXFA12N50P

Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
IPD60R1K5CEAUMA1 Image IPD60R1K5CEAUMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 5A TO252 Investigación
IXFA130N10T2 Image IXFA130N10T2 IXYS MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA Investigación
IXFA102N15T Image IXFA102N15T IXYS MOSFET N-CH 150V 102A D2PAK Investigación
IXFA16N60P3 Image IXFA16N60P3 IXYS MOSFET N-CH 600V 16A TO-263AA Investigación
IXFA16N50P3 Image IXFA16N50P3 IXYS MOSFET N-CH 500V 16A TO-263AA Investigación
DMNH4006SK3-13 Image DMNH4006SK3-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 40V 18A TO252 Investigación
IXFA14N85XHV Image IXFA14N85XHV IXYS MOSFET N-CH 850V 14A TO263-3 Investigación
SIHJ10N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 10A SO8 Investigación
IXFA14N60P Image IXFA14N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 14A D2-PAK Investigación
IXFA180N10T2 Image IXFA180N10T2 IXYS MOSFET N-CH 100V 180A TO-263AA Investigación
APT28F60S Image APT28F60S Microsemi Corporation MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK Investigación
IXFA110N15T2 Image IXFA110N15T2 IXYS MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK Investigación
IXFA14N60P3 Image IXFA14N60P3 IXYS MOSFET N-CH 600V 14A TO-263AA Investigación
IXFA10N60P Image IXFA10N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK Investigación
IXFA130N10T Image IXFA130N10T IXYS MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK Investigación
IXFX80N50Q3 Image IXFX80N50Q3 IXYS MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247 Investigación
IXFH10N80P Image IXFH10N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 10A TO-247 Investigación
IXFA18N60X Image IXFA18N60X IXYS MOSFET N-CH 600V 18A TO-263AA Investigación
IXFA16N50P Image IXFA16N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 16A D2-PAK Investigación
IXFA10N80P Image IXFA10N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 10A TO-263 Investigación

Latest Noticias