Comprar IXFA14N60P con BYCHPS
Compre con garantía
IXFA14N60P
- Número de pieza:
- IXFA14N60P
- Fabricante:
- IXYS Corporation
- Descripción:
- MOSFET N-CH 600V 14A D2-PAK
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15029 Pieces
- Ficha de datos:
- IXFA14N60P.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IXFA14N60P, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IXFA14N60P por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 5.5V @ 2.5mA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-263 (IXFA) |
| Serie: | HiPerFET™, PolarHT™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 550 mOhm @ 7A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 300W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | IXFA14N60P |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2500pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 36nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 600V 14A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXFA) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 600V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 600V 14A D2-PAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 14A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de IXFA14N60P
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFA12N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK | Investigación |
|
IXFA14N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 14A TO-263AA | Investigación |
|
IXFA10N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 10A TO-263 | Investigación |
|
IXFA130N10T2 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA | Investigación |
|
IXFA130N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK | Investigación |
|
IXFA10N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK | Investigación |
|
IXFA102N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 102A D2PAK | Investigación |
|
IXFA110N15T2 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK | Investigación |
|
IXFA180N10T2 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 180A TO-263AA | Investigación |
 |
SI7159DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8 | Investigación |
|
IXFA16N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 16A D2-PAK | Investigación |
|
IXFA16N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 16A TO-263AA | Investigación |
|
IXFA18N60X | IXYS | MOSFET N-CH 600V 18A TO-263AA | Investigación |
|
IXFA16N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 16A TO-263AA | Investigación |
|
IXFA14N85XHV | IXYS | MOSFET N-CH 850V 14A TO263-3 | Investigación |
 |
STL18NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers