español
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
Acerca de nosotros | Contáctenos | Solicitar presupuesto |
Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXFA14N85XHV
IXFA14N85XHV
IXFA14N85XHV
Número de pieza:
IXFA14N85XHV
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 850V 14A TO263-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19537 Pieces
Ficha de datos:
IXFA14N85XHV.pdf
Investigación

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IXFA14N85XHV, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IXFA14N85XHV por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar IXFA14N85XHV con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5.5V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-263 (IXFA)
Serie:HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:550 mOhm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo):460W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXFA14N85XHV
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1043pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:30nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 850V 14A (Tc) 460W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXFA)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:850V
Descripción:MOSFET N-CH 850V 14A TO263-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:14A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios

partes relacionadas de IXFA14N85XHV

Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
IXFA12N50P Image IXFA12N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK Investigación
IXFA16N50P Image IXFA16N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 16A D2-PAK Investigación
IXFA14N60P Image IXFA14N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 14A D2-PAK Investigación
IXFA16N60P3 Image IXFA16N60P3 IXYS MOSFET N-CH 600V 16A TO-263AA Investigación
IXFA10N80P Image IXFA10N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 10A TO-263 Investigación
IXFA180N10T2 Image IXFA180N10T2 IXYS MOSFET N-CH 100V 180A TO-263AA Investigación
IXFA14N60P3 Image IXFA14N60P3 IXYS MOSFET N-CH 600V 14A TO-263AA Investigación
IXFA102N15T Image IXFA102N15T IXYS MOSFET N-CH 150V 102A D2PAK Investigación
IRF3708SPBF Image IRF3708SPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK Investigación
IXFA130N10T2 Image IXFA130N10T2 IXYS MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA Investigación
IXFA18N60X Image IXFA18N60X IXYS MOSFET N-CH 600V 18A TO-263AA Investigación
IXFA130N10T Image IXFA130N10T IXYS MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK Investigación
IXFA110N15T2 Image IXFA110N15T2 IXYS MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK Investigación
FQPF11N40T Image FQPF11N40T Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 400V 6.6A TO-220F Investigación
IXFA16N50P3 Image IXFA16N50P3 IXYS MOSFET N-CH 500V 16A TO-263AA Investigación
IRL5602SPBF Image IRL5602SPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK Investigación
FDS3512 Image FDS3512 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC Investigación
IXFA10N60P Image IXFA10N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK Investigación

Latest Noticias