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Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXFH10N80P
IXFH10N80P
IXFH10N80P
Número de pieza:
IXFH10N80P
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 10A TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15348 Pieces
Ficha de datos:
IXFH10N80P.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5.5V @ 2.5mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-247AD (IXFH)
Serie:HiPerFET™, PolarHT™
RDS (Max) @Id, Vgs:1.1 Ohm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo):300W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXFH10N80P
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2050pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:40nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 800V 10A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:800V
Descripción:MOSFET N-CH 800V 10A TO-247
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

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