CTLDM7590 TR
CTLDM7590 TR
Número de pieza:
CTLDM7590 TR
Fabricante:
Central Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 0.14A TLM3D6D8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14880 Pieces
Ficha de datos:
CTLDM7590 TR.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):8V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TLM3D6D8
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:5 Ohm @ 100mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo):125mW (Ta)
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:3-XFDFN
Otros nombres:CTLDM7590 DKR
Temperatura de funcionamiento:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:CTLDM7590 TR
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:10pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:0.5nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 20V 140mA (Ta) 125mW (Ta) Surface Mount TLM3D6D8
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):1.2V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET P-CH 20V 0.14A TLM3D6D8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:140mA (Ta)
Email:[email protected]

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