CTLDM7120-M832DS TR
CTLDM7120-M832DS TR
Número de pieza:
CTLDM7120-M832DS TR
Fabricante:
Central Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2N-CH 20V 1A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13285 Pieces
Ficha de datos:
CTLDM7120-M832DS TR.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para CTLDM7120-M832DS TR, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para CTLDM7120-M832DS TR por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar CTLDM7120-M832DS TR con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.2V @ 1mA
Paquete del dispositivo:TLM832DS
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:100 mOhm @ 500mA, 4.5V
Potencia - Max:1.65W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-TDFN Exposed Pad
Temperatura de funcionamiento:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:6 Weeks
Número de pieza del fabricante:CTLDM7120-M832DS TR
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:220pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:2.4nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 1A (Ta) 1.65W Surface Mount TLM832DS
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET 2N-CH 20V 1A
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1A (Ta)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios