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CTLDM3590 TR
- Número de pieza:
- CTLDM3590 TR
- Fabricante:
- Central Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N-CH 20V 0.16A TLM3D6D8
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 14546 Pieces
- Ficha de datos:
- CTLDM3590 TR.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para CTLDM3590 TR, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para CTLDM3590 TR por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | 8V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TLM3D6D8 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 3 Ohm @ 100mA, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo): | 125mW (Ta) |
| embalaje: | Original-Reel® |
| Paquete / Cubierta: | 3-XFDFN |
| Otros nombres: | CTLDM3590 DKR |
| Temperatura de funcionamiento: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | CTLDM3590 TR |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 9pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 0.46nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 20V 160mA (Ta) 125mW (Ta) Surface Mount TLM3D6D8 |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 1.2V, 4.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 20V 0.16A TLM3D6D8 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 160mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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