SI6981DQ-T1-E3
Número de pieza:
SI6981DQ-T1-E3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8-TSSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18780 Pieces
Ficha de datos:
SI6981DQ-T1-E3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:900mV @ 300µA
Paquete del dispositivo:8-TSSOP
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:31 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Potencia - Max:830mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Otros nombres:SI6981DQ-T1-E3TR
SI6981DQT1E3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SI6981DQ-T1-E3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:25nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.1A 830mW Surface Mount 8-TSSOP
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8-TSSOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:4.1A
Email:[email protected]

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