IXFN180N15P
IXFN180N15P
Número de pieza:
IXFN180N15P
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13467 Pieces
Ficha de datos:
IXFN180N15P.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 4mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SOT-227B
Serie:PolarHT™
RDS (Max) @Id, Vgs:11 mOhm @ 90A, 10V
La disipación de energía (máximo):680W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IXFN180N15P
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:7000pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:240nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 150V 150A 680W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:150V
Descripción:MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:150A
Email:[email protected]

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