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Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > CSD19533KCS
CSD19533KCS
Número de pieza:
CSD19533KCS
Fabricante:
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 86A TO220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Solicitar verificación de inventario / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18898 Pieces
Ficha de datos:
CSD19533KCS.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220-3
Serie:NexFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:10.5 mOhm @ 55A, 10V
La disipación de energía (máximo):188W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:296-37482-5
CSD19533KCS-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:20 Weeks
Número de pieza del fabricante:CSD19533KCS
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2670pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:35nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 100A (Ta) 188W (Tc) Through Hole TO-220-3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET N-CH 100V 86A TO220-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:100A (Ta)
Email:[email protected]

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