Comprar BSS159N H6906 con BYCHPS
Compre con garantía
BSS159N H6906
- Número de pieza:
- BSS159N H6906
- Descripción:
- MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15942 Pieces
- Ficha de datos:
- BSS159N H6906.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BSS159N H6906, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BSS159N H6906 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.4V @ 26µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PG-SOT23-3 |
| Serie: | SIPMOS® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 3.5 Ohm @ 160mA, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 360mW (Ta) |
| embalaje: | Original-Reel® |
| Paquete / Cubierta: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Otros nombres: | BSS159N H6906DKR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | BSS159N H6906 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 44pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 2.9nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | Depletion Mode |
| Descripción ampliada: | N-Channel 60V 230mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3 |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | - |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 60V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 230mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de BSS159N H6906
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
BSS159NL6906HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 | Investigación |
|
BSS159N E6906 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 | Investigación |
|
BSS159N E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 | Investigación |
|
BSS159N H6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23 | Investigación |
|
BSS159NH6327XTSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 | Investigación |
 |
IRFBL3315 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 21A SUPER D2PAK | Investigación |
|
BSS159NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 | Investigación |
 |
BSC16DN25NS3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TDSON | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers