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BSS159N E6906
- Número de pieza:
- BSS159N E6906
- Descripción:
- MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 16328 Pieces
- Ficha de datos:
- BSS159N E6906.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BSS159N E6906, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BSS159N E6906 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.4V @ 26µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PG-SOT23-3 |
| Serie: | SIPMOS® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 3.5 Ohm @ 160mA, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 360mW (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Otros nombres: | BSS159NE6906XT SP000055412 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | BSS159N E6906 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 44pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 2.9nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | Depletion Mode |
| Descripción ampliada: | N-Channel 60V 230mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 60V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 230mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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