BSS159N E6327
Número de pieza:
BSS159N E6327
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
12201 Pieces
Ficha de datos:
BSS159N E6327.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.4V @ 26µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-SOT23-3
Serie:SIPMOS®
RDS (Max) @Id, Vgs:3.5 Ohm @ 160mA, 10V
La disipación de energía (máximo):360mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres:BSS159NE6327XT
SP000014638
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:BSS159N E6327
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:44pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:2.9nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:Depletion Mode
Descripción ampliada:N-Channel 60V 230mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:230mA (Ta)
Email:[email protected]

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