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BSS159N E6327
- Número de pieza:
- BSS159N E6327
- Descripción:
- MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 12201 Pieces
- Ficha de datos:
- BSS159N E6327.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BSS159N E6327, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BSS159N E6327 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.4V @ 26µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PG-SOT23-3 |
| Serie: | SIPMOS® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 3.5 Ohm @ 160mA, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 360mW (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Otros nombres: | BSS159NE6327XT SP000014638 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | BSS159N E6327 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 44pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 2.9nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | Depletion Mode |
| Descripción ampliada: | N-Channel 60V 230mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 60V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 230mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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