Comprar BSC16DN25NS3 G con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 32µA |
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Vgs (Max): | ±20V |
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | PG-TDSON-8 |
Serie: | OptiMOS™ |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 165 mOhm @ 5.5A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 62.5W (Tc) |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta: | 8-PowerTDFN |
Otros nombres: | BSC16DN25NS3G BSC16DN25NS3GATMA1 BSC16DN25NS3GTR SP000781782 |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 16 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | BSC16DN25NS3 G |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 920pF @ 100V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 11.4nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 250V 10.9A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 250V |
Descripción: | MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TDSON |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 10.9A (Tc) |
Email: | [email protected] |