SPU07N60S5
SPU07N60S5
Número de pieza:
SPU07N60S5
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-251
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14422 Pieces
Ficha de datos:
SPU07N60S5.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5.5V @ 350µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO251-3
Serie:CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:600 mOhm @ 4.6A, 10V
La disipación de energía (máximo):83W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Otros nombres:SPU07N60S5-ND
SPU07N60S5IN
SPU07N60S5X
SPU07N60S5XK
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SPU07N60S5
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:970pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:35nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 7.3A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-251
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:7.3A (Tc)
Email:[email protected]

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