STI45N10F7
STI45N10F7
Número de pieza:
STI45N10F7
Fabricante:
ST
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 45A I2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19567 Pieces
Ficha de datos:
STI45N10F7.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:I2PAK (TO-262)
Serie:DeepGATE™, STripFET™ VII
RDS (Max) @Id, Vgs:18 mOhm @ 22.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):60W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Otros nombres:497-14567-5
STI45N10F7-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:STI45N10F7
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1640pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:25nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 45A (Tc) 60W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET N-CH 100V 45A I2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:45A (Tc)
Email:[email protected]

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