Comprar STI45N10F7 con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 4.5V @ 250µA |
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Vgs (Max): | 20V |
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | I2PAK (TO-262) |
Serie: | DeepGATE™, STripFET™ VII |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 18 mOhm @ 22.5A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 60W (Tc) |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Otros nombres: | 497-14567-5 STI45N10F7-ND |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante: | STI45N10F7 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1640pF @ 50V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 100V 45A (Tc) 60W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262) |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
Descripción: | MOSFET N-CH 100V 45A I2PAK |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 45A (Tc) |
Email: | [email protected] |