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BSS816NW L6327
- Número de pieza:
- BSS816NW L6327
- Descripción:
- MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 16903 Pieces
- Ficha de datos:
- BSS816NW L6327.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BSS816NW L6327, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BSS816NW L6327 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 750mV @ 3.7µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PG-SOT323-3 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 160 mOhm @ 1.4A, 2.5V |
| La disipación de energía (máximo): | 500mW (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SC-70, SOT-323 |
| Otros nombres: | SP000464852 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | BSS816NW L6327 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 180pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 0.6nC @ 2.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 20V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT323-3 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 1.4A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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