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FDD6680AS
- Número de pieza:
- FDD6680AS
- Fabricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 14354 Pieces
- Ficha de datos:
- FDD6680AS.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para FDD6680AS, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para FDD6680AS por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 3V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-252 |
| Serie: | PowerTrench®, SyncFET™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 10.5 mOhm @ 12.5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 60W (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Otros nombres: | FDD6680AS-ND FDD6680ASFSTR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 12 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | FDD6680AS |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1200pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 29nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 30V 55A (Ta) 60W (Ta) Surface Mount TO-252 |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 30V 55A DPAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 55A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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