FDD6632
FDD6632
Número de pieza:
FDD6632
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 9A D-PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13119 Pieces
Ficha de datos:
FDD6632.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-252AA
Serie:UltraFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:70 mOhm @ 9A, 10V
La disipación de energía (máximo):15W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:FDD6632
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:255pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:4nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 9A (Tc) 15W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 9A D-PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

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