FDD6685
FDD6685
Número de pieza:
FDD6685
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 11A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12335 Pieces
Ficha de datos:
FDD6685.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-252
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:20 mOhm @ 11A, 10V
La disipación de energía (máximo):52W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:FDD6685-ND
FDD6685TR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:FDD6685
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1715pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:24nC @ 5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 30V 11A (Ta), 40A (Tc) 52W (Ta) Surface Mount TO-252
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET P-CH 30V 11A DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:11A (Ta), 40A (Tc)
Email:[email protected]

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