APTC90H12T2G
Número de pieza:
APTC90H12T2G
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18989 Pieces
Ficha de datos:
APTC90H12T2G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.5V @ 3mA
Paquete del dispositivo:SP2
Serie:CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:120 mOhm @ 26A, 10V
Potencia - Max:250W
embalaje:Tray
Paquete / Cubierta:SP2
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:APTC90H12T2G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:6800pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:270nC @ 10V
Tipo FET:4 N-Channel (H-Bridge)
Característica de FET:Super Junction
Descripción ampliada:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 900V 30A 250W Chassis Mount SP2
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:900V
Descripción:MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:30A
Email:[email protected]

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