APTC90AM60T1G
Número de pieza:
APTC90AM60T1G
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13081 Pieces
Ficha de datos:
APTC90AM60T1G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.5V @ 6mA
Paquete del dispositivo:SP1
Serie:CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:60 mOhm @ 52A, 10V
Potencia - Max:462W
embalaje:Tray
Paquete / Cubierta:SP1
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:22 Weeks
Número de pieza del fabricante:APTC90AM60T1G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:13600pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:540nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Característica de FET:Super Junction
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 900V 59A 462W Chassis Mount SP1
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:900V
Descripción:MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:59A
Email:[email protected]

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