APTC90SKM60T1G
Número de pieza:
APTC90SKM60T1G
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16495 Pieces
Ficha de datos:
APTC90SKM60T1G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.5V @ 6mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SP1
Serie:CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:60 mOhm @ 52A, 10V
La disipación de energía (máximo):462W (Tc)
embalaje:Tray
Paquete / Cubierta:SP1
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:22 Weeks
Número de pieza del fabricante:APTC90SKM60T1G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:13600pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:540nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:Super Junction
Descripción ampliada:N-Channel 900V 59A 462W (Tc) Chassis Mount SP1
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:900V
Descripción:MOSFET N-CH 900V 59A SP1
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:59A
Email:[email protected]

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