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APTC90H12T1G
- Número de pieza:
- APTC90H12T1G
- Fabricante:
- Microsemi
- Descripción:
- MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15737 Pieces
- Ficha de datos:
- APTC90H12T1G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para APTC90H12T1G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para APTC90H12T1G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 3.5V @ 3mA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | SP1 |
| Serie: | CoolMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 120 mOhm @ 26A, 10V |
| Potencia - Max: | 250W |
| embalaje: | Tray |
| Paquete / Cubierta: | SP1 |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Chassis Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 22 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | APTC90H12T1G |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 6800pF @ 100V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 270nC @ 10V |
| Tipo FET: | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| Característica de FET: | Super Junction |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 900V 30A 250W Chassis Mount SP1 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 900V |
| Descripción: | MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 30A |
| Email: | [email protected] |
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