AOT474_002
Número de pieza:
AOT474_002
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción:
MOSFET N-CH 75V 9A TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19034 Pieces
Ficha de datos:
AOT474_002.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220-3
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:11.3 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo):1.9W (Ta), 417W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:AOT474_002
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3370pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:60nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 75V 9A (Ta), 127A (Tc) 1.9W (Ta), 417W (Tc) Through Hole TO-220-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:75V
Descripción:MOSFET N-CH 75V 9A TO220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:9A (Ta), 127A (Tc)
Email:[email protected]

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