BSB008NE2LXXUMA1
BSB008NE2LXXUMA1
Número de pieza:
BSB008NE2LXXUMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 46A 2WDSON
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17952 Pieces
Ficha de datos:
BSB008NE2LXXUMA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:MG-WDSON-2, CanPAK M™
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:0.8 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.8W (Ta), 89W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:3-WDSON
Otros nombres:SP000880866
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:14 Weeks
Número de pieza del fabricante:BSB008NE2LXXUMA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:16000pF @ 12V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:343nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 25V 46A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:25V
Descripción:MOSFET N-CH 25V 46A 2WDSON
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:46A (Ta), 180A (Tc)
Email:[email protected]

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