IXKP13N60C5M
IXKP13N60C5M
Número de pieza:
IXKP13N60C5M
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220FP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16748 Pieces
Ficha de datos:
IXKP13N60C5M.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.5V @ 440µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220ABFP
Serie:CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:300 mOhm @ 6.6A, 10V
La disipación de energía (máximo):-
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IXKP13N60C5M
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1100pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:30nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:Super Junction
Descripción ampliada:N-Channel 600V 6.5A (Tc) Through Hole TO-220ABFP
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220FP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:6.5A (Tc)
Email:[email protected]

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