DMP2010UFG-13
DMP2010UFG-13
Número de pieza:
DMP2010UFG-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17247 Pieces
Ficha de datos:
DMP2010UFG-13.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.2V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PowerDI3333-8
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:9.5 mOhm @ 3.6A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):900mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerWDFN
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:DMP2010UFG-13
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3350pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:103nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 20V 12.7A (Ta), 42A (Tc) 900mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:12.7A (Ta), 42A (Tc)
Email:[email protected]

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