NTMFS4C35NT1G
NTMFS4C35NT1G
Número de pieza:
NTMFS4C35NT1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 80A SO8FL
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13244 Pieces
Ficha de datos:
NTMFS4C35NT1G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.2V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:3.2 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo):780mW (Ta), 33W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerTDFN
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:29 Weeks
Número de pieza del fabricante:NTMFS4C35NT1G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2300pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:15nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 12.4A (Ta) 780mW (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 80A SO8FL
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:12.4A (Ta)
Email:[email protected]

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