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2SJ652-1E
- Número de pieza:
- 2SJ652-1E
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET P-CH 60V 28A TO-220FP-3
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19307 Pieces
- Ficha de datos:
- 2SJ652-1E.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para 2SJ652-1E, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para 2SJ652-1E por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | - |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-220F-3SG |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 38 mOhm @ 14A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 2W (Ta), 30W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-220-3 Full Pack |
| Otros nombres: | 2SJ652-1E-ND 2SJ652-1EOS |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 6 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | 2SJ652-1E |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 4360pF @ 20V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 80nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | P-Channel 60V 28A (Ta) 2W (Ta), 30W (Tc) Through Hole TO-220F-3SG |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 4V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 60V |
| Descripción: | MOSFET P-CH 60V 28A TO-220FP-3 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 28A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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