IRF7807VD2TRPBF
IRF7807VD2TRPBF
Número de pieza:
IRF7807VD2TRPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12690 Pieces
Ficha de datos:
IRF7807VD2TRPBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:FETKY™
RDS (Max) @Id, Vgs:25 mOhm @ 7A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):2.5W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:IRF7807VD2PBFTR
IRF7807VD2TRPBF-ND
IRF7807VD2TRPBFTR-ND
SP001565590
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IRF7807VD2TRPBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:14nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:Schottky Diode (Isolated)
Descripción ampliada:N-Channel 30V 8.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:8.3A (Ta)
Email:[email protected]

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