español
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
Acerca de nosotros | Contáctenos | Solicitar presupuesto |
Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXFH24N90P
IXFH24N90P
IXFH24N90P
Número de pieza:
IXFH24N90P
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17227 Pieces
Ficha de datos:
IXFH24N90P.pdf
Investigación

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IXFH24N90P, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IXFH24N90P por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar IXFH24N90P con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:6.5V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-247AD (IXFH)
Serie:HiPerFET™, PolarP2™
RDS (Max) @Id, Vgs:420 mOhm @ 12A, 10V
La disipación de energía (máximo):660W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXFH24N90P
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:7200pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:130nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 900V 24A (Tc) 660W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:900V
Descripción:MOSFET N-CH TO-247
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:24A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios

partes relacionadas de IXFH24N90P

Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
IXFH270N06T3 Image IXFH270N06T3 IXYS 60V/270A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE Investigación
IXFH230N075T2 Image IXFH230N075T2 IXYS MOSFET N-CH 75V 230A TO-247 Investigación
IXFH28N50Q Image IXFH28N50Q IXYS MOSFET N-CH 500V 28A TO-247 Investigación
IXFH20N85X Image IXFH20N85X IXYS 850V/20A ULTRA JUNCTION X-CLASS Investigación
IXFH24N50 Image IXFH24N50 IXYS MOSFET N-CH 500V 24A TO-247AD Investigación
IXFH20N60 Image IXFH20N60 IXYS MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD Investigación
IXFH20N80Q Image IXFH20N80Q IXYS MOSFET N-CH 800V 20A TO-247AD Investigación
IXFH26N60Q Image IXFH26N60Q IXYS MOSFET N-CH 600V 26A TO-247AD Investigación
IXFH26N50P3 Image IXFH26N50P3 IXYS MOSFET N-CH 500V 26A TO-247 Investigación
IXFH21N50F Image IXFH21N50F IXYS MOSFET N-CH 500V 21A TO247 Investigación
IXFH23N80Q Image IXFH23N80Q IXYS MOSFET N-CH 800V 23A TO-247 Investigación
IXFH220N06T3 Image IXFH220N06T3 IXYS 60V/220A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE Investigación
IXFH22N50P Image IXFH22N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 22A TO-247 Investigación
IXFH26N50Q Image IXFH26N50Q IXYS MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AD Investigación
IXFH22N60P Image IXFH22N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 22A TO-247 Investigación
IXFH24N50Q Image IXFH24N50Q IXYS MOSFET N-CH 500V 24A TO-247 Investigación
IXFH24N60X Image IXFH24N60X IXYS MOSFET N-CH 600V 24A TO-247 Investigación
IXFH24N80P Image IXFH24N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 24A TO-247 Investigación
IXFH23N60Q Image IXFH23N60Q IXYS MOSFET N-CH 600V 23A TO-247 Investigación
IXFH20N60Q Image IXFH20N60Q IXYS MOSFET N-CH 600V 20A TO-247 Investigación

Latest Noticias