Comprar IXFH26N60Q con BYCHPS
Compre con garantía
IXFH26N60Q
- Número de pieza:
- IXFH26N60Q
- Fabricante:
- IXYS Corporation
- Descripción:
- MOSFET N-CH 600V 26A TO-247AD
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15477 Pieces
- Ficha de datos:
- IXFH26N60Q.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IXFH26N60Q, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IXFH26N60Q por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4.5V @ 4mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-247AD (IXFH) |
| Serie: | HiPerFET™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 250 mOhm @ 13A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 360W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-247-3 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 8 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | IXFH26N60Q |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 5100pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 200nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 600V 26A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH) |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 600V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 600V 26A TO-247AD |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 26A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de IXFH26N60Q
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFH20N85X | IXYS | 850V/20A ULTRA JUNCTION X-CLASS | Investigación |
 |
IXFH20N80Q | IXYS | MOSFET N-CH 800V 20A TO-247AD | Investigación |
|
IXFH230N075T2 | IXYS | MOSFET N-CH 75V 230A TO-247 | Investigación |
|
IXFH220N06T3 | IXYS | 60V/220A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE | Investigación |
|
IXFH26N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 26A TO-247 | Investigación |
|
IXFH26N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A TO-247 | Investigación |
|
IXFH26N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AD | Investigación |
|
IXFH20N60Q | IXYS | MOSFET N-CH 600V 20A TO-247 | Investigación |
|
IXFH26N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AD | Investigación |
|
IXFH26N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A TO-247 | Investigación |
|
IXFH21N50F | IXYS | MOSFET N-CH 500V 21A TO247 | Investigación |
|
IXFH28N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 28A TO-247 | Investigación |
|
IXFH20N60 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD | Investigación |
|
IXFH22N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 22A TO-247 | Investigación |
|
IXFH22N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 22A TO-247 | Investigación |
|
IXFH26N55Q | IXYS | MOSFET N-CH 550V 26A TO-247 | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog