IXFH20N85X
IXFH20N85X
Número de pieza:
IXFH20N85X
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
850V/20A ULTRA JUNCTION X-CLASS
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19610 Pieces
Ficha de datos:
IXFH20N85X.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IXFH20N85X, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IXFH20N85X por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar IXFH20N85X con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5.5V @ 2.5mA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-247
Serie:HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:330 mOhm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo):540W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXFH20N85X
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1660pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:63nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 850V 20A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-247
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:850V
Descripción:850V/20A ULTRA JUNCTION X-CLASS
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios