Comprar 2SJ656 con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | - |
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Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | TO-220ML |
Serie: | - |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 75.5 mOhm @ 9A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 2W (Ta), 30W (Tc) |
embalaje: | Bulk |
Paquete / Cubierta: | TO-220-3 Full Pack |
Otros nombres: | 869-1053 |
Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante: | 2SJ656 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 4200pF @ 20V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 74nC @ 10V |
Tipo FET: | P-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | P-Channel 100V 18A (Ta) 2W (Ta), 30W (Tc) Through Hole TO-220ML |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
Descripción: | MOSFET P-CH 100V 18A TO-220ML |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 18A (Ta) |
Email: | [email protected] |