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TPCF8101(TE85L,F,M
- Número de pieza:
- TPCF8101(TE85L,F,M
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET P-CH 12V 6A VS-8
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15094 Pieces
- Ficha de datos:
- 1.TPCF8101(TE85L,F,M.pdf2.TPCF8101(TE85L,F,M.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para TPCF8101(TE85L,F,M, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para TPCF8101(TE85L,F,M por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1.2V @ 200µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | VS-8 (2.9x1.9) |
| Serie: | U-MOSIII |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 28 mOhm @ 3A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo): | 700mW (Ta) |
| embalaje: | Original-Reel® |
| Paquete / Cubierta: | 8-SMD, Flat Lead |
| Otros nombres: | TPCF8101(TE85LFMDKR TPCF8101FDKR TPCF8101FDKR-ND TPCF8101TE85LFM |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | TPCF8101(TE85L,F,M |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1600pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 18nC @ 5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | P-Channel 12V 6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.9) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 12V |
| Descripción: | MOSFET P-CH 12V 6A VS-8 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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