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TPCF8107,LF
- Número de pieza:
- TPCF8107,LF
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET P-CH 30V 6A VS-8
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17006 Pieces
- Ficha de datos:
- TPCF8107,LF.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para TPCF8107,LF, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para TPCF8107,LF por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2V @ 100µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | VS-8 (2.9x1.9) |
| Serie: | U-MOSVI |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 28 mOhm @ 3A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 700mW (Ta) |
| embalaje: | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta: | 8-SMD, Flat Lead |
| Otros nombres: | TPCF8107,LFCMCT TPCF8107,LFCMCT-ND TPCF8107LFCMCT TPCF8107LFCMCT-ND TPCF8107LFCT |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | TPCF8107,LF |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 970pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 22nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | P-Channel 30V 6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.9) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción: | MOSFET P-CH 30V 6A VS-8 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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