Comprar BSS670S2L H6327 con BYCHPS
Compre con garantía
BSS670S2L H6327
- Número de pieza:
- BSS670S2L H6327
- Descripción:
- MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15892 Pieces
- Ficha de datos:
- BSS670S2L H6327.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BSS670S2L H6327, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BSS670S2L H6327 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2V @ 2.7µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PG-SOT23-3 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 650 mOhm @ 270mA, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 360mW (Ta) |
| embalaje: | Original-Reel® |
| Paquete / Cubierta: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Otros nombres: | BSS670S2L H6327DKR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | BSS670S2L H6327 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 75pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 2.26nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 55V 540mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3 |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 55V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 540mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de BSS670S2L H6327
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
BSS670S2LL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23 | Investigación |
|
BSS670S2L | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23 | Investigación |
 |
2SK2544(F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 6A TO-220AB | Investigación |
|
BSS670S2LH6433XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23 | Investigación |
 |
NVD5C688NLT4G | ON Semiconductor | T6 60V LL DPAK | Investigación |
 |
HUFA76443S3ST | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK | Investigación |
 |
IPB03N03LB G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A TO-263 | Investigación |
 |
TK10V60W,LVQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 9.7A 5DFN | Investigación |
 |
PH6530AL,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V LFPAK | Investigación |
 |
PHW80NQ10T,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 80A SOT429 | Investigación |
 |
SI5432DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8 | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog