IPB03N03LB G
IPB03N03LB G
Número de pieza:
IPB03N03LB G
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 80A TO-263
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
20796 Pieces
Ficha de datos:
IPB03N03LB G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 100µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO263-3
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:2.8 mOhm @ 55A, 10V
La disipación de energía (máximo):150W (Tc)
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres:IPB03N03LBGINDKR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IPB03N03LB G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:7624pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:59nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 80A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 80A TO-263
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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