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TPCC8103(TE12L,QM)
- Número de pieza:
- TPCC8103(TE12L,QM)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET P-CH 30V 18A 8TSON
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18096 Pieces
- Ficha de datos:
- 1.TPCC8103(TE12L,QM).pdf2.TPCC8103(TE12L,QM).pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para TPCC8103(TE12L,QM), tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para TPCC8103(TE12L,QM) por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 8-TSON |
| Serie: | U-MOSV |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 12 mOhm @ 9A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 700mW (Ta), 27W (Tc) |
| embalaje: | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta: | 8-VDFN Exposed Pad |
| Otros nombres: | TPCC8103(TE12LQM)CT |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | TPCC8103(TE12L,QM) |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1600pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 38nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | P-Channel 30V 18A (Ta) 700mW (Ta), 27W (Tc) Surface Mount 8-TSON |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción: | MOSFET P-CH 30V 18A 8TSON |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 18A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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