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TPCC8003-H(TE12LQM
- Número de pieza:
- TPCC8003-H(TE12LQM
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17059 Pieces
- Ficha de datos:
- 1.TPCC8003-H(TE12LQM.pdf2.TPCC8003-H(TE12LQM.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para TPCC8003-H(TE12LQM, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para TPCC8003-H(TE12LQM por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.3V @ 200µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 8-TSON |
| Serie: | U-MOSVI-H |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 16.9 mOhm @ 6.5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 700mW (Ta), 22W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-VDFN Exposed Pad |
| Otros nombres: | TPCC8003-H(TE12LQMTR |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | TPCC8003-H(TE12LQM |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1300pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 17nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 30V 13A (Ta) 700mW (Ta), 22W (Tc) Surface Mount 8-TSON |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 13A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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