TPC8221-H,LQ(S
TPC8221-H,LQ(S
Número de pieza:
TPC8221-H,LQ(S
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17166 Pieces
Ficha de datos:
1.TPC8221-H,LQ(S.pdf2.TPC8221-H,LQ(S.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.3V @ 100µA
Paquete del dispositivo:8-SOP
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:25 mOhm @ 3A, 10V
Potencia - Max:450mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:TPC8221-HLQ(S
TPC8221HLQS
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:TPC8221-H,LQ(S
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:830pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:12nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Standard
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 450mW Surface Mount 8-SOP
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:6A
Email:[email protected]

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