TPC8213-H(TE12LQ,M
Número de pieza:
TPC8213-H(TE12LQ,M
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2N-CH 60V 5A SOP8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13701 Pieces
Ficha de datos:
1.TPC8213-H(TE12LQ,M.pdf2.TPC8213-H(TE12LQ,M.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.3V @ 1mA
Paquete del dispositivo:8-SOP (5.5x6.0)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:50 mOhm @ 2.5A, 10V
Potencia - Max:450mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:TPC8213-H(TE12LQ,M
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:625pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:11nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5A 450mW Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET 2N-CH 60V 5A SOP8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:5A
Email:[email protected]

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