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EM6M1T2R
- Número de pieza:
- EM6M1T2R
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19588 Pieces
- Ficha de datos:
- EM6M1T2R.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para EM6M1T2R, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para EM6M1T2R por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | - |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | EMT6 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 8 Ohm @ 10mA, 4V |
| Potencia - Max: | 150mW |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SOT-563, SOT-666 |
| Otros nombres: | EM6M1T2RTR |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | EM6M1T2R |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 13pF @ 5V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 0.9nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Característica de FET: | Logic Level Gate |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array N and P-Channel 30V, 20V 100mA, 200mA 150mW Surface Mount EMT6 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V, 20V |
| Descripción: | MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 100mA, 200mA |
| Email: | [email protected] |
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| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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