Comprar BSO350N03 con BYCHPS
Compre con garantía
BSO350N03
- Número de pieza:
- BSO350N03
- Descripción:
- MOSFET 2N-CH 30V 5A 8DSO
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19031 Pieces
- Ficha de datos:
- BSO350N03.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BSO350N03, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BSO350N03 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2V @ 6µA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | PG-DSO-8 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 35 mOhm @ 6A, 10V |
| Potencia - Max: | 1.4W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres: | BSO350N03-ND BSO350N03INTR BSO350N03NT BSO350N03XT SP000080984 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | BSO350N03 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 480pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 3.7nC @ 5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica de FET: | Logic Level Gate |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5A 1.4W Surface Mount PG-DSO-8 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH 30V 5A 8DSO |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 5A |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de BSO350N03
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
PHKD3NQ10T,518 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC | Investigación |
 |
QS8J1TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8 | Investigación |
 |
SI7252DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO | Investigación |
 |
MTM684100LBF | Panasonic Electronic Components | MOSFET 2P-CH 12V 4.8A WMINI8 | Investigación |
 |
FDMS3669S | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56 | Investigación |
 |
ALD310700ASCL | Advanced Linear Devices Inc. | QUAD P-CHANNEL EPAD MATCHED PAIR | Investigación |
 |
NVMFD5483NLT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN | Investigación |
 |
APTC60AM45B1G | Microsemi Corporation | MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1 | Investigación |
 |
AO6808_101 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 4.6A 6TSOP | Investigación |
 |
ALD1105SBL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC | Investigación |
|
NVMFD5485NLWFT3G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8 | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog