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TN2510N8-G
- Número de pieza:
- TN2510N8-G
- Fabricante:
- Micrel / Microchip Technology
- Descripción:
- MOSFET N-CH 100V 730MA SOT89-3
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 14723 Pieces
- Ficha de datos:
- TN2510N8-G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para TN2510N8-G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para TN2510N8-G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-243AA (SOT-89) |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 1.5 Ohm @ 750mA, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 1.6W (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-243AA |
| Otros nombres: | TN2510N8-G-ND TN2510N8-GTR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 15 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | TN2510N8-G |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 125pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 100V 730mA (Tj) 1.6W (Ta) Surface Mount TO-243AA (SOT-89) |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 3V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 100V 730MA SOT89-3 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 730mA (Tj) |
| Email: | [email protected] |
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