Comprar FQA6N70 con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 5V @ 250µA |
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Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | TO-3P |
Serie: | QFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 1.5 Ohm @ 3.2A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 152W (Tc) |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | TO-3P-3, SC-65-3 |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante: | FQA6N70 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1400pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 40nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 700V 6.4A (Tc) 152W (Tc) Through Hole TO-3P |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 700V |
Descripción: | MOSFET N-CH 700V 6.4A TO-3P |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 6.4A (Tc) |
Email: | sales@bychips.com |