RJK0629DPE-00#J3
Número de pieza:
RJK0629DPE-00#J3
Fabricante:
Renesas Electronics America
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 85A LDPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16320 Pieces
Ficha de datos:
RJK0629DPE-00#J3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:-
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:4-LDPAK
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:4.5 mOhm @ 43A, 10V
La disipación de energía (máximo):100W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SC-83
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:RJK0629DPE-00#J3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4100pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:85nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 60V 85A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount 4-LDPAK
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET N-CH 60V 85A LDPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:85A (Ta)
Email:[email protected]

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