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IXTP260N055T2
IXTP260N055T2
Número de pieza:
IXTP260N055T2
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 260A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15904 Pieces
Ficha de datos:
IXTP260N055T2.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220AB
Serie:TrenchT2™
RDS (Max) @Id, Vgs:3.3 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo):480W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXTP260N055T2
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:10800pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:140nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 55V 260A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-220AB
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:55V
Descripción:MOSFET N-CH 55V 260A TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:260A (Tc)
Email:[email protected]

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