TK80S04K3L(T6L1,NQ
Número de pieza:
TK80S04K3L(T6L1,NQ
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16016 Pieces
Ficha de datos:
TK80S04K3L(T6L1,NQ.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 1mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:DPAK+
Serie:U-MOSIV
RDS (Max) @Id, Vgs:3.1 mOhm @ 40A, 10V
La disipación de energía (máximo):100W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:TK80S04K3L(T6L1NQ
TK80S04K3LT6L1NQ
Temperatura de funcionamiento:175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:TK80S04K3L(T6L1,NQ
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4340pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:87nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 40V 80A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount DPAK+
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:40V
Descripción:MOSFET N-CH 40V 80A DPAK-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:80A (Ta)
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