Comprar TK80S04K3L(T6L1,NQ con BYCHPS
Compre con garantía
VGS (th) (Max) @Id: | 3V @ 1mA |
---|---|
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | DPAK+ |
Serie: | U-MOSIV |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 3.1 mOhm @ 40A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 100W (Tc) |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Otros nombres: | TK80S04K3L(T6L1NQ TK80S04K3LT6L1NQ |
Temperatura de funcionamiento: | 175°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 16 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | TK80S04K3L(T6L1,NQ |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 4340pF @ 10V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 87nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 40V 80A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount DPAK+ |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 40V |
Descripción: | MOSFET N-CH 40V 80A DPAK-3 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 80A (Ta) |
Email: | sales@bychips.com |